複合基板及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996061504
Publication number (International publication number)：1997260734
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】使用するデバイスに合った複合基板を提供する。【解決手段】単結晶間の接合にそれぞれの単結晶と相性の良い中間層を形成したこと、接合部上にエピタキシャル成長した表層膜を形成し溝を埋めたことにより極めて平坦な複合基板ができる。そのため目的に合った様々な結晶を組み合わせることが可能になり設計の自由度が上がりデバイスの小型、モノリシック化、高性能化が図れる。

Claim (excerpt)：

2つ以上の単結晶を接合した複合基板の製造方法であって単結晶を接合した後少なくとも接合部の基板の表面に基板と同じ結晶構造を有する膜をエピタキシャル成長させる工程を有することを特徴とする複合基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 39/24 ZAA , H01L 39/24 , H01L 21/02 , H01L 39/02 ZAA

FI (4)：

H01L 39/24 ZAA C , H01L 39/24 ZAA W , H01L 21/02 B , H01L 39/02 ZAA W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

基板表面改質人工粒界型SQUID素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-081759 Applicant：日本鋼管株式会社
酸化物超電導薄膜合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-184195 Applicant：日本電気株式会社
超電導膜内に弱いリンクを有するデバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-108796 Applicant：テレフオンアクチーボラゲツトエルエムエリクソン

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