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J-GLOBAL ID：200903075183664072

発光素子

Inventor： 畑 雅幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000391412
Publication number (International publication number)：2001251022
Application date： Dec. 22, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 発光効率が高く動作電流またはしきい値電流が低い発光素子を提供することである。【解決手段】 発光層8とp-AlGaNからなるp-クラッド層10との間に、n-GaNからなるn-逆導電型層9が形成されている。n-逆導電帯層9の禁制帯幅は、発光層8の禁制帯幅に比べて大きくかつp-クラッド層10の禁制帯幅に比べて小さい。

Claim (excerpt)：

圧電効果の発生を伴う歪を有する発光層が第1のn型層と第1のp型層とに挟まれるように配置された発光素子であって、前記圧電効果の結果として発生する電位勾配のため前記発光層の電位は前記第1のn型層側が前記第1のp型層側に比べて高く、少なくとも前記発光層と前記第1のp型層との間に前記発光層よりも大きい禁制帯幅を有する第2のn型層が設けられたことを特徴とする発光素子。

F-Term (12)：

5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-140828   Applicant：株式会社日立製作所
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-135288   Applicant：松下電器産業株式会社