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J-GLOBAL ID:200903075184175326

高熱伝導率窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法ならびに窒化ケイ素質焼結体製絶縁基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小塩 豊
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995186003
Publication number (International publication number):1997030866
Application date: Jul. 21, 1995
Publication date: Feb. 04, 1997
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 機械的特性に優れていると共に、高熱伝導特性を持つ窒化ケイ素質焼結体を提供する。【解決手段】 85重量%以上99重量%以下のβ型窒化ケイ素粒と残部が酸化物または酸窒化物の粒界相とから構成され、粒界相中にMg,Ca,Sr,Ba,Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Dy,Ho,Er,Ybのうちから選ばれる1種または2種以上の金属元素を0.5重量%以上10重量%以下含み、粒界相中のAl原子含有量が1重量%以下であり、気孔率が5%以下でかつβ型窒化ケイ素粒のうち短軸径5μm以上を持つものの割合が10体積%以上60体積%以下、焼結体の切断面の観察において短軸径が5μm以上を持つものの粒子の面積の合計が観察面積の10面積%以上60面積%以下、線インターセプト法で測定したβ型窒化ケイ素粒の数平均粒径が0.8μm以上10μm以下である窒化ケイ素焼結体より成る。
Claim (excerpt):
85重量%以上99重量%以下のβ型窒化ケイ素粒と残部が酸化物または酸窒化物の粒界相とから構成され、粒界相中にMg,Ca,Sr,Ba,Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Dy,Ho,Er,Ybのうちから選ばれる1種または2種以上の金属元素を0.5重量%以上10重量%以下含有すると共に、粒界相中のAl原子含有量が1重量%以下であり、気孔率が5%以下でかつβ型窒化ケイ素粒のうち短軸径5μm以上を持つものの割合が10体積%以上60体積%以下であることを特徴とする高熱伝導率窒化ケイ素質焼結体。
FI (2):
C04B 35/58 102 C ,  C04B 35/58 102 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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