半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柿本恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996246420
Publication number (International publication number)：1998092830
Application date： Sep. 18, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】下地金属層のサイドエッチを防止する。【解決手段】半導体基板11上に酸化膜12、Al電極パッド13、表面保護膜14を形成した後、Al電極パッド13上にスルーホール15を形成する。全面に下地金属層Ti/W16a、Pd16bを順次堆積する。全面に感光性樹脂膜を被着し、露光・現像をして、バンプ電極形成用パターン17を形成する。下地金属層16a、16bを共通電極として、電気メッキ法により、バンプ電極18を形成する。バンプ電極18の周囲の感光性樹脂膜を除去して、バンプ電極18の周囲の隙間を設ける。下地金属層16a、16bを共通電極として、電気メッキ法により、下地金属保護層を形成する。感光性樹脂膜エッチング溶剤によりパターンを除去し、下地金属保護層をマスクとして、下地金属層16a、16bをエッチング除去する。

Claim (excerpt)：

絶縁膜を有する半導体基板の前記絶縁膜上に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッドと電気的に接続する下地金属層を全面に形成する工程と、前記下地金属層上に前記電極パッド上方の一部のバンプ電極形成予定領域に欠損部を有する絶縁性のバンプ電極形成用パターンを形成する工程と、前記下地金属層を共通電極として電気メッキ法によりバンプ電極を形成する工程と、前記バンプ電極の周囲に隙間を有する下地金属保護層形成用パターンを形成する工程と、前記下地金属層を共通電極として電気メッキ法により前記下地金属層を選択的エッチング可能な下地金属保護層を前記隙間に位置する前記下地金属層上に形成する工程と、前記下地金属保護層形成用パターンを除去する工程と、前記下地金属保護層をエッチングマスクとして前記下地金属層をエッチング除去する工程とを、施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/92 604 B , H01L 21/92 604 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-104230
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-216330 Applicant：ソニー株式会社
特開平3-034319

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