ポジ型レジスト材料

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小島隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994331724
Publication number (International publication number)：1996160623
Application date： Dec. 09, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【構成】下記一般式(1)【化1】(式中、Qはt-ブチル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基又はテトラヒドロピラニル基を示す。nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料。【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にKrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。また、酸素プラズマエッチング耐性に優れているため、下層レジストの上に本発明のレジスト膜を塗布した2層レジストは、微細なパターンを高アスペクト比で形成し得るという特徴も有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)【化1】(式中、Qはt-ブチル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基又はテトラヒドロピラニル基を示す。nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料。

IPC (6)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , G03F 7/075 521 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-106549
ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-294009 Applicant：日本電信電話株式会社
ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-041714 Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社

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