Pat

J-GLOBAL ID：200903075238850016

強誘電性セラミックスの製造方法

Inventor： 畑中 達也 ,  鷹取 一雅 ,  神谷 信雄
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995074186
Publication number (International publication number)：1996268756
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 15, 1996
Summary：

【要約】【目的】機械的強度の高いPZTを容易に製造できる製造方法を提供することを目的とする。【構成】ZrO2 の析出分を見込んでPb量を不足とした組成になるように、PbO、TiO2 およびZrO2 の原料粉末を調製する工程と、原料粉末を混合し、PbOの昇華による離散がない条件で、混合粉末を仮焼する仮焼工程と、PbOの昇華による離散がない条件で、仮焼生成物を900〜1200°Cの温度で焼成すると同時に、微細なZrO2 をPb(Zrx Ti1-x )O3 (0.4≦x≦0.6)中に分散析出させる本焼成工程と、からなることを特徴とする強誘電性セラミックスの製造方法。Pb(Zrx Ti1-x )O3 (0.4≦x≦0.6)マトリックスに平均粒径は1μm以下のZrO2 が分散析出した強誘電性セラミッスが得られる。

Claim (excerpt)：

ZrO2 の析出分を見込んでPb量を不足とした組成になるように、PbO、TiO2 およびZrO2 の原料粉末を調製する工程と、原料粉末を混合し、PbOの昇華による離散がない条件で、混合粉末を仮焼する仮焼工程と、PbOの昇華による離散がない条件で、仮焼生成物を900〜1200°Cの温度で焼成すると同時に、微細なZrO2 をPb(Zrx Ti1-x )O3 (0.4≦x≦0.6)中に分散析出させる本焼成工程と、からなることを特徴とする強誘電性セラミックスの製造方法。

IPC (4)：

C04B 35/49 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (4)：

C04B 35/49 A ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 圧電磁器組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-209015   Applicant：株式会社村田製作所
• 酸化物圧電材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-358834   Applicant：東芝セラミックス株式会社
• 圧電磁器組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-131752   Applicant：株式会社村田製作所