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J-GLOBAL ID：200903075373578954

半導体基板、自立基板及びそれらの製造方法、並びに基板の研磨方法

Inventor：
柴田 真佐知

About 柴田 真佐知


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004127202
Publication number (International publication number)：2005306680
Application date： Apr. 22, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：
【課題】 アズグロウンの状態で、少なくともエピタキシャル成長層側表面の平坦性が高く、その後の研磨が容易な半導体基板とその製造方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板11上にGaNエピタキシャル成長層12を形成させることにより反りを生じるような結晶成長系の半導体基板10であって、GaNエピタキシャル成長層12は反りの影響を予め相殺するように、サファイア基板11の中央部上の厚さt1を、サファイア基板11の端部上の厚さt2よりも小さくなるように形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
異種基板上にエピタキシャル成長層を形成させることにより反りを生じるような結晶成長系の半導体基板であって、前記反りの影響を予め相殺するように前記エピタキシャル成長層の膜厚に分布を持たせたことを特徴とする半導体基板。
IPC (6)：
C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304
FI (6)：
C30B25/02 Z ,  C30B29/38 D ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 621A
F-Term (28)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077EH01 ,  4G077FG18 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TB03 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F052KA05 ,  5F052KA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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