電界効果型半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田英彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995125091
Publication number (International publication number)：1996321603
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】電界効果型半導体装置およびその製造方法に関し、その電界効果型半導体装置のしきい値電圧を安定化させるようにする。【構成】電界効果型半導体装置10において、ボディ領域30中でゲート電極16と対向するチャネル領域内における最高不純物濃度部位28が、ボディ領域30とソース領域26とが接する部位から離れた位置に存在する構成とする。この構成では、ボディ領域30中でゲート電極16と対向するチャネル領域内に、ソース領域26との接する部位から離れた位置に最高不純物濃度部位28が存在するため、ソース領域26の広がりの程度が変化しても、最高不純物濃度部位28は影響を受けない。したがって、チャネル領域を流れる電子の流路の途中に最高不純物濃度を示す部位が必ず存在することになり、その最高不純物濃度に依存するしきい値電圧を安定化させることができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型のソース領域とドレイン領域との間に介装されており前記第1導電型とは反対の導電型である第2導電型のボディ領域と、そのボディ領域に絶縁層を隔てて対向しているゲート電極とを有する電界効果型半導体装置において、前記ボディ領域中で前記ゲート電極と対向するチャネル領域内における最高不純物濃度部位が、前記ボディ領域が前記ソース領域に接する部位から離れた位置に存在していることを特徴とする電界効果型半導体装置。

FI (3)：

H01L 29/78 652 E , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-173372
特開昭59-231861
MOSトランジスタとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-064318 Applicant：日本電気株式会社

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