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J-GLOBAL ID：200903075598820576

非晶質シリコン膜及びそれを用いた太陽電池

Inventor： 寺田 典裕 ,  矢田 茂郎 ,  寺川 朗
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 藤田 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998100574
Publication number (International publication number)：1999284214
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 膜質の優れたワイドギャップの非晶質シリコン膜及びこれを用いた特性の優れた太陽電池を提供する。【解決手段】 非晶質シリコン膜を、光学的バンドギャップが1.7eV以上、水素濃度が30%以上、Si-H2 結合量が50%以下であって、ワイドギャップ化添加元素の濃度が1%未満の膜とし、この膜を太陽電池の光入射面側ドープ層又は発電層とする。

Claim (excerpt)：

光学的バンドギャップが1.7eV以上、水素濃度が30%以上、Si-H2 結合量が50%以下であって、ワイドギャップ化添加元素の濃度が1%未満であることを特徴とする非晶質シリコン膜。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 31/04 B ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 非単結晶炭化シリコン半導体薄膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-085208   Applicant：キヤノン株式会社
• 薄膜太陽電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-157092   Applicant：富士電機株式会社
• 高電圧アモルファス半導体/アモルファスシリコン・ヘテロ接合半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-164044   Applicant：鐘淵化学工業株式会社, 浜川圭弘