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J-GLOBAL ID:200903075613657296

バイアホール形成方法及びレーザ加工装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998218775
Publication number (International publication number):1999103149
Application date: Jun. 09, 1995
Publication date: Apr. 13, 1999
Summary:
【要約】【課題】 湿式後処理のような複雑な後処理工程を必要としないバイアホール形成方法を提供すること。【解決手段】 金属膜上のポリマー層に、前記金属膜に達するバイアホールを形成する方法であり、レーザ光を用いて前記ポリマー層にバイアホールを形成する第1の工程と、乾式処理により前記バイアホールの加工残物を除去する第2の工程とを含む。
Claim (excerpt):
金属膜上のポリマー層に、前記金属膜に達するバイアホールを形成するバイアホール形成方法において、レーザ光を用いて前記ポリマー層にバイアホールを形成する第1の工程と、乾式処理により前記バイアホールの加工残物を除去する第2の工程とを含むことを特徴とするバイアホール形成方法。
IPC (4):
H05K 3/00 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/46
FI (5):
H05K 3/00 N ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/46 X ,  H05K 3/46 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平3-190186
  • YAGレーザ加工装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-120234   Applicant:株式会社フジクラ
  • レーザ加工装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-261542   Applicant:オリンパス光学工業株式会社

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