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J-GLOBAL ID:200903075613657296
バイアホール形成方法及びレーザ加工装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998218775
Publication number (International publication number):1999103149
Application date: Jun. 09, 1995
Publication date: Apr. 13, 1999
Summary:
【要約】【課題】 湿式後処理のような複雑な後処理工程を必要としないバイアホール形成方法を提供すること。【解決手段】 金属膜上のポリマー層に、前記金属膜に達するバイアホールを形成する方法であり、レーザ光を用いて前記ポリマー層にバイアホールを形成する第1の工程と、乾式処理により前記バイアホールの加工残物を除去する第2の工程とを含む。
Claim (excerpt):
金属膜上のポリマー層に、前記金属膜に達するバイアホールを形成するバイアホール形成方法において、レーザ光を用いて前記ポリマー層にバイアホールを形成する第1の工程と、乾式処理により前記バイアホールの加工残物を除去する第2の工程とを含むことを特徴とするバイアホール形成方法。
IPC (4):
H05K 3/00
, B23K 26/00
, B23K 26/00 330
, H05K 3/46
FI (5):
H05K 3/00 N
, B23K 26/00 H
, B23K 26/00 330
, H05K 3/46 X
, H05K 3/46 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平3-190186
-
YAGレーザ加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-120234
Applicant:株式会社フジクラ
-
レーザ加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-261542
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
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