非接触測定装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：名古屋国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008138148
Publication number (International publication number)：2009287960
Application date： May. 27, 2008
Publication date： Dec. 10, 2009
Summary：

【課題】導電性物質上に測定対象を載せた状態で測定対象の導電率の測定を可能にするとともに、溶かすことができない測定対象の分子量の測定を可能にする【解決手段】非接触測定装置1は、試料を収納する試料収納部2と、試料収納部2にテラヘルツ光を照射するテラヘルツ光照射部3と、試料収納部2から出射するテラヘルツ光を検出する検出部4と、検出部4での検出結果に基づき解析を行う解析部5を備える。試料収納部2は、テラヘルツ光を反射し易い金属で構成されて試料が載置される試料載置板41を備える。即ち検出部4は、試料を通り抜けて試料載置板41で反射したテラヘルツ光を検出する。また解析部5は、検出部4での検出結果に基づき試料の透過率を算出する透過率算出部51と、算出された透過率を用いて試料の導電率を算出する導電率算出部52と、算出された透過率を用いて試料の分子量を算出する分子量算出部53とを備える。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

テラヘルツ光を反射する材料で構成され、試料を載せるための載置面が形成された試料載置部と、前記載置面に載せられた試料に向けてテラヘルツ光を照射するテラヘルツ光照射手段と、前記載置面で反射したテラヘルツ光を検出するテラヘルツ光検出手段と、前記テラヘルツ光検出手段による検出結果に基づいて、テラヘルツ光の透過率または反射率を算出する透過率反射率算出手段とを備えることを特徴とする非接触測定装置。

IPC (2)：

G01N 21/35 , G01R 27/02

FI (2)：

G01N21/35 Z , G01R27/02 R

F-Term (16)：

2G028BC10 , 2G028CG02 , 2G028DH17 , 2G059AA03 , 2G059BB08 , 2G059EE01 , 2G059EE02 , 2G059EE12 , 2G059GG01 , 2G059HH01 , 2G059HH06 , 2G059JJ12 , 2G059JJ13 , 2G059JJ17 , 2G059JJ25 , 2G059MM04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

導電率測定装置及び導電性粉体の評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-341946 Applicant：信越化学工業株式会社
芳香族ポリスルホンの分子量測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-297061 Applicant：住友化学工業株式会社

Cited by examiner (6)

反射光学特性によって物性を測定する装置および測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-436318 Applicant：財団法人半導体研究振興会
特開平2-074847
半導体評価装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-262517 Applicant：株式会社神戸製鋼所

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