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J-GLOBAL ID：200903075659206230

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 笹本 恒夫
Applicant, Patent owner： 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 ,  富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995247800
Publication number (International publication number)：1997092825
Application date： Sep. 26, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 入出力速度を高速に維持し、半導体装置の面積を増やすことなく、高い静電耐量を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 ドレイン領域とソース領域を含む基板(1)と、基板の上に形成される絶縁膜(3)と、絶縁膜の上に形成されるゲート電極(4)とを有し、ドレイン領域またはソース領域のうち少なくとも一方はゲート電極から外側に離れた位置に形成される。

Claim (excerpt)：

ドレイン領域とソース領域を含む基板(1)と、前記基板の上に形成される絶縁膜(3)と、前記絶縁膜の上に形成されるゲート電極(4)とを有し、前記ドレイン領域または前記ソース領域のうち少なくとも一方は前記ゲート電極から外側に離れた位置に形成される半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-336499   Applicant：ローム株式会社
• トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-164254   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平1-307266