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J-GLOBAL ID：200903075662057563

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

Inventor：
荒川 富行

About 荒川 富行


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995161657
Publication number (International publication number)：1997017892
Application date： Jun. 28, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：
【要約】【目的】 大きなカップリング比(COXとCONO の比)を得ることができ、しかも、コンタクトホールを有しない高集積化された不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【構成】 ソース拡散領域4及びドレイン拡散領域5にコンタクトホールを形成することなく、前記ソース拡散領域4に接するソース線6A及び前記ドレイン拡散領域5に接するドレイン線6Bと、前記ソース線6A及びドレイン線6Bの間に第1の絶縁膜7を介して形成されるとともに、前記ソース線6A及びドレイン線6Bの上部に形成される浮遊ゲート11Aと、この浮遊ゲート11Aがトンネル酸化膜8に接する面積が、前記浮遊ゲート11Aがその上の第2の絶縁膜10に接する面積の50%以下となるようにしたものである。
Claim (excerpt)：
(a)ソース拡散領域及びドレイン拡散領域にコンタクトホールを形成することなく、前記ソース拡散領域に接するソース線及び前記ドレイン拡散領域に接するドレイン線と、(b)前記ソース線及びドレイン線の間に絶縁膜を介して形成されるとともに、前記ソース線及びドレイン線の上部に形成される浮遊ゲートと、(c)該浮遊ゲートがトンネル酸化膜に接する面積が、前記浮遊ゲートが浮遊ゲート上の絶縁膜に接する面積の50%以下である構造を有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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