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J-GLOBAL ID：200903075682258603

半導体装置

Inventor：
日高 秀人

About 日高 秀人


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997012479
Publication number (International publication number)：1998208467
Application date： Jan. 27, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 少なくとも2つの動作モードを有する内部回路をもつ半導体装置において、それぞれのモードに最適な動作電流で動作させてVDC回路系を動作させて内部電源電圧を内部回路に供給可能な半導体装置を得る。【解決手段】 コンパレータ11〜13の動作電流I11〜I13はI11(大)>I12(小)>I13(極小)の順に設定され、アクティブ用コンパレータ11は内部行アドレスストローブ信号バーRAS(I)の“L”/“H”によって活性/非活性が制御され、ノーマルスタンドバイ用コンパレータ12はノーマル行アドレスストローブ信号バーRAS(N)の“H”/“L”によって活性/非活性が制御され、セルフリフレッシュ用コンパレータ13はセルフリフレッシュ信号SRの“H”/“L”によって活性/非活性が制御される。
Claim (excerpt)：
外部入力信号に関連した外部入力関連信号及び第1の内部電源電圧を受け、該第1の内部電源電圧を動作電源電圧として、通常モード時に前記外部入力関連信号に基づく動作を行い、特殊モード時に前記外部入力関連信号と関係のない動作を行う内部回路と、外部制御信号に基づきモード制御信号を生成するモード制御信号生成手段とを備え、前記モード制御信号は前記通常モードのスタンドバイ状態の有無を指示し、前記特殊モードのスタンドバイ状態の有無を指示する情報を少なくとも有し、第1の基準電圧を受け、該第1の基準電圧に基づき前記外部電源電圧を変換して前記第1の内部電源電圧を前記内部回路に供給する第1の内部電源電圧供給手段をさらに備え、前記第1の内部電源電圧供給手段は、前記モード制御信号が前記通常モードのスタンドバイ状態であると指示するとき第1の動作電流で動作し、前記モード制御信号が前記特殊モードのスタンドバイ状態であると指示するとき前記第1の動作電流と異なる第2の動作電流で動作することを特徴とする、半導体装置。
IPC (5)：
G11C 11/407 ,  G05F 1/56 310 ,  G11C 11/403 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (4)：
G11C 11/34 354 F ,  G05F 1/56 310 V ,  G11C 11/34 363 M ,  H01L 27/04 G
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体装置および電源電圧発生回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-130902   Applicant：三菱電機株式会社
  • 半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-181727   Applicant：株式会社日立製作所
  • 半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-215765   Applicant：三菱電機株式会社

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