半導体メモリ及びその作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995083242
Publication number (International publication number)：1996255879
Application date： Mar. 15, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】互いに直交するストライプ状に配列された帯状の電極の間に強誘電体薄膜が挟まれているが、簡素な構造を有する半導体メモリを提供する。【構成】半導体メモリは、(イ)ストライプ状に配列された帯状の第1の電極20と、(ロ)該第1の電極と略直交する、ストライプ状に配列された帯状の第2の電極40と、(ハ)第1の電極と第2の電極が交差する部分に少なくとも設けられた強誘電体薄膜30、から構成された複数の半導体メモリセルから成り、そして、これらの半導体メモリセルは、第2の基板54に張り合わされた第1の半導体基板10の内部に形成されている。

Claim (excerpt)：

(イ)ストライプ状に配列された帯状の第1の電極と、(ロ)該第1の電極と略直交する、ストライプ状に配列された帯状の第2の電極と、(ハ)第1の電極と第2の電極が交差する部分に少なくとも設けられた強誘電体薄膜、から構成された複数の半導体メモリセルから成り、該半導体メモリセルは、第2の基板に張り合わされた第1の半導体基板の内部に形成されていることを特徴とする半導体メモリ。

IPC (3)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-307149 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
特開平2-154389
特開平4-018753

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Cited by examiner (1)

強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-307149 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション

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