半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994099688
Publication number (International publication number)：1995307489
Application date： May. 13, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】発光素子の側面からの不要な光を外部へ取り出させないようにして、単色性を向上させた半導体発光素子及びその製造方法を提供することである。【構成】半導体基板上に少なくともInGaAlPの発光層を積層する第1の工程と、前記発光層の側面が該発光層の下層側へ広がる傾斜構造となるように、前記発光層の側面側をエッチングする第2の工程とを行う。そして、前記発光層の側面の傾斜構造は、前記発光層の上面又は下面と該発光層の側面とのなす角度が62°以下として形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に積層されたInGaAlPの発光層を有する半導体発光素子において、前記発光層の側面を、該発光層の下層側へ広がる傾斜構造としたことを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-298355 Applicant：大同特殊鋼株式会社
光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-181039 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-273174

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