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J-GLOBAL ID:200903075805177077

炭素材料薄膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 吉田 俊夫 ,  吉田 和子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006081871
Publication number (International publication number):2007258030
Application date: Mar. 24, 2006
Publication date: Oct. 04, 2007
Summary:
【課題】カーボンナノチューブの酸化処理などを必要とはせず、カーボンナノチューブが本来有する良好な導電性を維持しつつ、また従来必要とされていた結着剤を含まないため内部抵抗が低く、二次電池の電極等として有効に使用し得る炭素材料薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】炭素材料を、塩基性高分子型分散剤を添加した炭化水素溶媒中に超音波ホモジナイザを用いて分散させ、この溶媒中で導電性金属よりなる被被覆材を陽極として電圧を印加し、陽極材表面上に炭素材料薄膜を形成せしめた後、不活性ガス雰囲気中で焼成して分散剤を除去することにより炭素材料薄膜を製造する。
Claim (excerpt):
炭素材料を、塩基性高分子型分散剤を添加した炭化水素溶媒中に超音波ホモジナイザを用いて分散させ、この溶媒中で導電性金属よりなる被被覆材を陽極として電圧を印加し、陽極材表面上に炭素材料薄膜を形成せしめた後、不活性ガス雰囲気中で焼成して分散剤を除去することを特徴とする炭素材料薄膜の製造方法。
IPC (5):
H01M 4/04 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/58 ,  C01B 31/02 ,  C01B 31/04
FI (5):
H01M4/04 A ,  H01M4/02 B ,  H01M4/58 ,  C01B31/02 101F ,  C01B31/04 101Z
F-Term (20):
4G146AA02 ,  4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD23 ,  4G146CB11 ,  4G146CB17 ,  4G146CB35 ,  5H050AA12 ,  5H050BA17 ,  5H050CA15 ,  5H050CA16 ,  5H050CB08 ,  5H050CB09 ,  5H050EA08 ,  5H050EA09 ,  5H050GA02 ,  5H050GA11 ,  5H050GA18 ,  5H050GA27 ,  5H050HA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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