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J-GLOBAL ID：200903075845556518

気相成長装置及び気相成長方法

Inventor： 大橋 忠 ,  茶木 勝弘 ,  辛 平 ,  藤井 達男 ,  岩田 勝行 ,  三谷 慎一 ,  本多 恭章
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社 ,  東芝機械株式会社
Agent (1)： 赤野 牧子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996354381
Publication number (International publication number)：1998177960
Application date： Dec. 19, 1996
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 高品質が要求される半導体ウエハ基板の製造工程に適用される気相中のパーティクル及び炉壁への析出物の発生が少なく、均一な膜厚の薄膜が形成され、抵抗値のばらつきが無く均質で結晶欠陥の少ない半導体ウエハ基板を得るための気相成長装置の提供。【解決手段】 中空の反応炉の頂部に複数の反応ガス供給口、底部に排気口、内部にウエハ基板を載置する回転基板保持体、及び、内部上部に天井部と空間域を形成して複数のガス孔が穿設された整流板を有して、内部に反応ガスを供給して回転基板保持体上のウエハ基板表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、炉内の中央部と外周部とのガス流速が異なるように形成されてなることを特徴とする気相成長装置。前記整流板のガス孔の開口率が、前記整流板に正投影される前記回転基板保持体の投影形状の外周縁より径方向の外部域で他の領域より大きくする。

Claim (excerpt)：

中空の反応炉の頂部に複数の反応ガス供給口、底部に排気口、内部にウエハ基板を載置する回転基板保持体、及び、内部上部に天井部と空間域を形成して複数のガス孔が穿設された整流板を有して、内部に反応ガスを供給して回転基板保持体上のウエハ基板表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、炉内の中央部と外周部とのガス流速が異なるように形成されてなることを特徴とする気相成長装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-248434   Applicant：株式会社東芝
• 基板の熱処理方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-302060   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社