Pat

J-GLOBAL ID：200903075882757175

配線構造およびその製造方法

Inventor： 石 健學 ,  蔡 明興 ,  蘇 鴻文
Applicant, Patent owner： 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
Agent (4)： 牛木 護 ,  清水 栄松 ,  外山 邦昭 ,  吉田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006216248
Publication number (International publication number)：2007059901
Application date： Aug. 08, 2006
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：

【課題】金属キャップの横方向の成長を無くし、その選択的成長を良好に調整することが可能な配線構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】誘電体層30のビア部およびトレンチ部に、誘電体層30の上表面よりも低い上表面を有する銅50’を充填し、上部に銅凹部52を有するダマシン構造を形成する。銅凹部52に金属コバルト,コバルトタングステン,コバルトタングステンリン化合物,またはコバルトタングステンホウ化物からなる金属キャップ54を形成する。【選択図】図1G

Claim (excerpt)：

誘電体層にビアおよび/またはトレンチを備えたダマシン構造と、 前記誘電体層の上表面よりも低い上表面を有し、前記ビアおよび/またはトレンチに充填される銅または銅合金からなる導体と、 金属コバルト(Co),コバルトタングステン(CoW),コバルトタングステンリン化物(CoWP),またはコバルトタングステンホウ化物(CoWB)からなり、前記導体上に存在するコバルト含有キャップと、から構成されることを特徴とする配線構造。

IPC (2)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (2)：

H01L21/88 M ,  H01L21/88 R

F-Term (27)：

5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR04 ,  5F033WW01 ,  5F033XX31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-299611   Applicant：松下電器産業株式会社
• 基板処理方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-170588   Applicant：株式会社荏原製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-311465   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-359673   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-218444   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-343495   Applicant：三菱電機株式会社