記憶素子及びその駆動方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：角田芳末 , 磯山弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004319655
Publication number (International publication number)：2006134954
Application date： Nov. 02, 2004
Publication date： May. 25, 2006
Summary：

【課題】本発明においては、記憶データの内容の判別が容易にできると共に、消費電力を低減することが可能な構成の記憶素子及びその駆動方法を提供するものである。【解決手段】本発明の記憶素子10は、一方の電極1と他方の電極2との間に、異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗状態が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子11,12を備え、2つの前記可変抵抗素子11,12の各素子の前記一方の電極1を共通電極とし、2つの前記可変抵抗素子11,12の各素子の前記他方の電極2を独立させてそれぞれ端子X,Yを設けて、合計2端子としてメモリセルを構成したことを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一方の電極と他方の電極との間に、異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗状態が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、 2つの前記可変抵抗素子の各素子の前記一方の電極を共通電極とし、 2つの前記可変抵抗素子の各素子の前記他方の電極を独立させてそれぞれ端子を設けて、合計2端子としてメモリセルを構成したことを特徴とする記憶素子。

IPC (2)：

H01L 27/10 , G11C 13/00

FI (2)：

H01L27/10 451 , G11C13/00 A

F-Term (4)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA37 , 5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

記憶素子及びその駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-213594 Applicant：ソニー株式会社
プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-599033 Applicant：アリゾナボードオブリージェンツ
磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-286653 Applicant：株式会社東芝

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