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J-GLOBAL ID:200903075928158174
ヒートシンク
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002123434
Publication number (International publication number):2003318343
Application date: Apr. 25, 2002
Publication date: Nov. 07, 2003
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、十分な冷却能力を有し、かつ、冷媒循環装置側に大きな駆動力を必要とせず装置の小型化及び高効率化でき、また、半導体素子内の発熱分布や発熱応力を考慮した半導体素子のヒートシンクを提供する。【解決手段】 本発明のヒートシンク13は、冷媒を導入する導入路10があり、この導入路10から導入された冷媒を狭窄して流通させるための複数の狭窄路3を含む仕切体を有する。そして、この仕切体を通って流出する冷媒は、単一の空間4を介して仕切体に対面する衝突壁面に衝突する。その後、衝突壁面に衝突した冷媒は、排出路11に排出され、衝突壁面近傍における外壁面に設けられた冷却対象物設置場所を冷却する。
Claim (excerpt):
冷媒を導入する導入路と、前記導入路から導入された前記冷媒を狭窄して流通させる複数の狭窄路を有し、外壁面と熱的に接続された第1の仕切体と、前記第1の仕切体から流出するすべての前記冷媒を受け入れる単一の空間と、前記空間を介して前記第1の仕切体に対面し、前記第1の仕切体から流出する前記冷媒が衝突する衝突壁面と、前記空間に受け入れられた前記冷媒を排出する排出路と、前記衝突壁面近傍における前記外壁面に設けられた冷却対象物設置場所と、を備えるヒートシンク。
IPC (2):
FI (2):
H05K 7/20 N
, H01L 23/46 Z
F-Term (5):
5E322AA05
, 5E322FA01
, 5F036AA01
, 5F036BA05
, 5F036BB43
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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冷却装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-178170
Applicant:三菱電機株式会社, 中嶋英雄
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半導体素子冷却装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-229623
Applicant:昭和アルミニウム株式会社
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