高誘電体膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999289430
Publication number (International publication number)：2000195859
Application date： Oct. 12, 1999
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】優れた高誘電体膜特性と安定性を有する新しい誘電体膜としてのタンタル窒化酸化膜を形成する方法を提供する。【解決手段】本発明の高誘電体膜形成方法は、半導体工程装備で高誘電体膜を形成する方法において、前記工程装備の反応器内に半導体基板を位置させる段階と、前記半導体基板の上部にタンタル成分含有膜を形成する段階と、前記タンタル成分含有膜を反応気体内で処理してタンタル窒化酸化膜に変換させる段階とを備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体工程装備で高誘電体膜を形成する方法において、前記工程装備の反応器内に半導体基板を位置させる段階と、前記半導体基板の上部にタンタル成分含有膜を形成する段階と、前記タンタル成分含有膜を反応気体内で処理してタンタル窒化酸化膜に変換させる段階と、を備えることを特徴とする高誘電体膜形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-027061 Applicant：日本電気株式会社
タンタル系高誘電体材料及び高誘電体膜の形成方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-072504 Applicant：ソニー株式会社
特開昭63-126264

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-027061 Applicant：日本電気株式会社
タンタル系高誘電体材料及び高誘電体膜の形成方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-072504 Applicant：ソニー株式会社
特開昭63-126264

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