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J-GLOBAL ID：200903076002333351
窒化物系半導体素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西岡 伸泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999016303
Publication number (International publication number)：2000216498
Application date： Jan. 25, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 GaN等の窒化物基板6の表面に窒化物成長層7を形成すると共に、窒化物基板6の裏面及び窒化物成長層7の表面に電極5、8を形成してなる窒化物系半導体素子において、動作電圧の経時変化が少ない安定性の高い素子構造を提供する。【解決手段】 本発明に係る窒化物系半導体素子においては、電極5が形成された窒化物基板6の裏面が、窒化物基板6のC面に対して0.03°〜10°の傾斜角度を有している。該裏面は、窒化物基板6のC面に対して0.03°〜10°の傾斜角度に研磨を施すことによって形成される。
Claim (excerpt)：
窒化物基板(6)の表面に窒化物成長層(7)を形成すると共に、窒化物基板(6)の裏面に電極(5)を形成してなる窒化物系半導体素子において、電極(5)が形成された窒化物基板(6)の裏面が、窒化物基板(6)のC面に対して0.03°〜10°の傾斜角度を有していることを特徴とする窒化物系半導体素子。
IPC (2)：
H01S 5/323
, H01L 21/28 301
H01S 3/18 673
, H01L 21/28 301 H
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 5F073CA02
, 5F073CB02
, 5F073CB19
, 5F073CB22
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