Pat

J-GLOBAL ID：200903076002333351

窒化物系半導体素子及びその製造方法

Inventor： 林 伸彦 ,  大保 広樹
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西岡 伸泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999016303
Publication number (International publication number)：2000216498
Application date： Jan. 25, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】 GaN等の窒化物基板6の表面に窒化物成長層7を形成すると共に、窒化物基板6の裏面及び窒化物成長層7の表面に電極5、8を形成してなる窒化物系半導体素子において、動作電圧の経時変化が少ない安定性の高い素子構造を提供する。【解決手段】 本発明に係る窒化物系半導体素子においては、電極5が形成された窒化物基板6の裏面が、窒化物基板6のC面に対して0.03°〜10°の傾斜角度を有している。該裏面は、窒化物基板6のC面に対して0.03°〜10°の傾斜角度に研磨を施すことによって形成される。

Claim (excerpt)：

窒化物基板(6)の表面に窒化物成長層(7)を形成すると共に、窒化物基板(6)の裏面に電極(5)を形成してなる窒化物系半導体素子において、電極(5)が形成された窒化物基板(6)の裏面が、窒化物基板(6)のC面に対して0.03°〜10°の傾斜角度を有していることを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (2)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/28 301

FI (2)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 21/28 301 H

F-Term (11)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-243681   Applicant：株式会社日立製作所
• 窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-335580   Applicant：エルジー電子株式会社
• 3-5族化合物半導体用電極の製造方法と3-5族化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-168459   Applicant：住友化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-159341   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-261919   Applicant：日亜化学工業株式会社