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J-GLOBAL ID:200903076005989967
有機EL素子の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997085297
Publication number (International publication number):1998284248
Application date: Apr. 03, 1997
Publication date: Oct. 23, 1998
Summary:
【要約】【課題】真空蒸着法によるメリットを有しつつ、使用中のダークスポットの発生を抑制して耐久性に優れた有機EL素子を製造する。【解決手段】有機材料を用いてp層、n層又は発光層を真空蒸着法により形成して有機EL素子を得る場合、真空蒸着時に基板1を有機材料の融点の0.7〜0.9倍の温度に加熱する。
Claim (excerpt):
基板上に第1電極層とp層と発光層と第2電極層とを順次形成するか、基板上に第1電極層と発光層とn層と第2電極層とを順次形成するか、又は基板上に第1電極層とp層と発光層とn層と第2電極層とを順次形成するに際し、有機材料を用いて該p層、該n層又は該発光層を真空蒸着法により形成して有機EL素子を得る有機EL素子の製造方法であって、前記真空蒸着時には、前記基板を前記有機材料の融点の0.7〜0.9倍の温度に加熱することを特徴とする有機EL素子の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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有機電界発光素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-205375
Applicant:三菱化学株式会社
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有機薄膜EL素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-074894
Applicant:凸版印刷株式会社
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