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J-GLOBAL ID：200903076062100054

GaNP単結晶成長方法

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997345632
Publication number (International publication number)：1999171699
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 成長用基板に適する高品質なGaNP単結晶を成長させることができるGaNP結晶成長方法を提供する。【解決手段】 液体封止引き上げ法によるGaNP単結晶成長方法であって、Ga原料11を坩堝2に入れ、N原料13およびP原料14をそれぞれのリザーバ4a、4bに入れ、150気圧以上のN2 ガス雰囲気中で、Ga原料11を1700°C以上に加熱し、前記坩堝2を10〜25rpmの回転速度で回転させながら、圧力を制御しながらN原料13およびP原料14をGa原料11中に溶け込ませて、所望の組成を有するGaNP融液を合成し、次いで、単結晶の種結晶15を前記GaNP融液に浸した後、GaNP融液から種結晶15を引き上げることにより、GaNP単結晶を成長させる。
Claim (excerpt)：
液体封止引き上げ法によるGaNP単結晶成長方法であって、Ga原料を坩堝に入れ、N原料およびP原料をそれぞれのリザーバに入れ、150気圧以上のN2 ガス雰囲気中で、Ga原料を1700°C以上に加熱し、前記坩堝を10〜25rpmの回転速度で回転させながら、圧力を制御しながらN原料およびP原料をGa原料中に溶け込ませて、所望の組成を有するGaNP融液を合成し、次いで、単結晶の種結晶を前記GaNP融液に浸した後、GaNP融液から種結晶を引き上げることにより、GaNP単結晶を成長させることを特徴とするGaNP単結晶成長方法。
IPC (3)：
C30B 29/40 501 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208
FI (3)：
C30B 29/40 501 A ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開昭63-185890
  • 発光ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-025587   Applicant：昭和電工株式会社
  • 化合物半導体単結晶の成長方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-277340   Applicant：古河電気工業株式会社
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