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J-GLOBAL ID：200903095686946394

発光ダイオード

Inventor： 宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995025587
Publication number (International publication number)：1996222764
Application date： Feb. 14, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 発光強度が大きく信頼性の高い窒素を含む III-V族化合物半導体からなるLEDを提供する。【構成】 NとN以外の元素周期律第V族元素を2以上含んでなる III-V族化合物層を発光層として備える積層構造よりLEDを構成する。特に、Nに加え第V族元素としてPとAsをと含む III-V族窒化物半導体層を発光層として備えた積層構造よりLEDを構成する。【効果】 発光強度の増大とLED動上の信頼性をもたらされる。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた少なくとも1種の元素周期律表の第 III族元素と窒素(元素記号:N)とN以外の複数の第V族元素からなる III-V族化合物半導体層を発光層として備えた積層構造からなる発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• 特開平4-192585
  
• 特開平4-236477
  
• 特開平2-288371
  
• カラー半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-083512   Applicant：シャープ株式会社
• III-V族合金半導体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-191985   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-202477   Applicant：ローム株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-296210   Applicant：株式会社日立製作所
• 化合物半導体装置、その製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-114812   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-189243   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-189178   Applicant：富士通株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-297128   Applicant：富士通株式会社
• III-V族化合物半導体の積層超格子構造及びそれを用いた発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-051454   Applicant：酒井士郎, シャープ株式会社