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J-GLOBAL ID：200903076184884781

半導体装置

Inventor：
北田 瑞枝

About 北田 瑞枝

, 
九里 伸治

About 九里 伸治


Applicant, Patent owner：
新電元工業株式会社

About 新電元工業株式会社


Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000097554
Publication number (International publication number)：2001284604
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】逆方向漏れ電流を小さくし、順方向特性を改善したショットキ-ダイオード構造を提供する。【解決手段】カソード9に接続したN型基板I上にN型低濃度層2を成膜した表面に間隔Wmで溝4を形成し多結晶SiのP領域5を充填した両上面6・7にアノード8の構造で下式1・2を満足させるものをショットキ接合する。
Claim (excerpt)：
一導電型の第1半導体層と、該第1半導体層より低不純物濃度の一導電型の第2半導体層とを積層して成る半導体基板と、該第2半導体層表面に所定の幅と間隔を持って形成されたトレンチ部と、該トレンチ部に充填形成された他の導電型の半導体層と、該第2半導体層表面と該半導体層表面に連接して形成されたショットキー金属電極と、該第1半導体層表面に形成されたオーミック金属電極を備えた半導体装置において、該半導体層の幅をWt、不純物濃度をNa、該第2半導体層の不純物濃度をNd、隣接する該半導体層間の該第2半導体層の間隔をWm、該Ndに対する降伏電圧をBVAKとし、該Wt、Na、Nd、Wm及びBVAKが下記の(1)式及び(2)式を満足する関係に設定したことを特徴とする半導体装置。【数1】【数2】但し、BVAK=60×(Eg/1.1)1.5×(Nd/1016)-3/4Eg該半導体材料のエネルギーバンドギャップ値、ε0真空の誘電率、εS該半導体材料の比誘電率、q素電荷量
F-Term (14)：
4M104AA01 ,  4M104BB00 ,  4M104BB01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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