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J-GLOBAL ID：200903076200897759

ピエゾ抵抗型圧力センサ

Inventor：
長谷川 真

About 長谷川 真


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004176855
Publication number (International publication number)：2006003100
Application date： Jun. 15, 2004
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：
【課題】ピエゾ抵抗型圧力センサにおけるダイヤフラムの形成領域を増加させることなしに、検出感度の向上を図る。【解決手段】半導体基板を用いるピエゾ抵抗型圧力センサにおいて、ダイヤフラムsの辺の中央付近からダイヤフラムの中心に向かって支持枠の一部分を突出部10として突出させる。突出部10を設けたことによって、突出部10の先端近傍に応力集中位置が形成される。この応力集中位置に、ピエゾ抵抗(拡散抵抗)からなるピエゾ抵抗型圧力検出部4a,4bを配置する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ダイヤフラムと、前記ダイヤフラムの外周で前記ダイヤフラムを支持し該ダイヤフラムよりも相対的に厚く形成された支持枠と、前記ダイヤフラムに圧力が印加したことによる前記ダイヤフラムの変形により歪むことで前記圧力を電気量として検出するピエゾ抵抗型圧力検出部とを備えたピエゾ抵抗型圧力センサにおいて、 前記支持枠の一部が前記ダイヤフラムに向かって突出する突出部を形成していることを特徴とするピエゾ抵抗型圧力センサ。
IPC (2)：
G01L 9/00 ,  H01L 29/84
FI (3)：
G01L9/00 303D ,  G01L9/00 303K ,  H01L29/84 B
F-Term (20)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055GG15 ,  2F055GG16 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA09 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA10 ,  4M112DA14 ,  4M112EA02 ,  4M112FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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