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J-GLOBAL ID：200903071997675851

圧力センサデバイス及び信号処理装置

Inventor：
石岡 宏治

About 石岡 宏治

, 
中吉 浩和

About 中吉 浩和


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000268420
Publication number (International publication number)：2002071492
Application date： Aug. 31, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ダイヤフラムに所定の厚み分布を形成することで、小型化及び高性能化を図ることができる圧力センサデバイス及び信号処理装置を提供すること。【解決手段】 中空部11cを有する支持枠11と、中空部11cの底面に形成され、圧力の印加により変形するダイヤフラム12と、ダイヤフラム12に設けられていて、ダイヤフラム12の変形により歪むことで圧力を検出する圧力検出部13とを備えた圧力センサデバイス10において、ダイヤフラム12は、薄肉領域21と、圧力検出部13の一部もしくは全部を含んでおり、薄肉領域21の厚みよりも厚くなるように形成された厚肉領域22とを有する。
Claim (excerpt)：
中空部を有する支持枠と、前記中空部の底面に形成され、圧力の印加により変形するダイヤフラムと、前記ダイヤフラムに設けられていて、前記ダイヤフラムの変形により歪むことで圧力を電気的信号として検出する圧力検出部とを備えた圧力センサデバイスにおいて、前記ダイヤフラムは、薄肉領域と、前記圧力検出部の一部もしくは全部を含んでおり、前記薄肉領域の厚みよりも厚くなるように形成された厚肉領域と、を有することを特徴とする圧力センサデバイス。
IPC (2)：
G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84
FI (2)：
G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B
F-Term (16)：
2F055AA05 ,  2F055AA39 ,  2F055BB01 ,  2F055BB19 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF49 ,  2F055GG15 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA09 ,  4M112DA02 ,  4M112DA10 ,  4M112EA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開昭59-083023
  • 半導体圧力センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-027028   Applicant：富士電機株式会社
  • 半導体圧力センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-143783   Applicant：株式会社フジクラ
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