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J-GLOBAL ID：200903076229048890
炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002106328
Publication number (International publication number)：2003306398
Application date： Apr. 09, 2002
Publication date： Oct. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】混合ガスの導入に伴なう異物の混入や反応容器の出口の詰まりによる不具合を解消して高品質な炭化珪素単結晶を製造することができるようにする。【解決手段】反応容器6の下面に、反応容器6の内外を連通する透孔6aが設けられるとともに、真空容器1の下部に排気管11が接続されている。排気管11に、反応容器6内のガスを透孔6aを通して真空容器1の外部に排出するための排気ポンプ13が設けられている。
Claim (excerpt)：
真空容器(1)の内部において反応容器(6)内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(7)を配置し、前記反応容器(6)内に、少なくともSiを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、前記炭化珪素単結晶基板(7)から炭化珪素単結晶(20)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、前記種結晶となる炭化珪素単結晶基板(7)に向かう前記混合ガスの流れに対し逆向きの排出流路を反応容器(6)の内壁に沿うように形成するとともに、この排出流路を通してガスを強制的に排気するようにしたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
F-Term (12)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DB04
, 4G077DB07
, 4G077EB06
, 4G077EG24
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TB02
, 4G077TG06
, 4G077TH05
