窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大西孝治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000014390
Publication number (International publication number)：2001210867
Application date： Jan. 24, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【目的】機械的強度に優れ、高温高湿度環境下でも劣化しにくく、光の外部への取り出し効率の高い窒化ガリウム系半導体発光素子とする。【構成】窒化ガリウム系半導体発光素子において、P型GaN半導体層の上に少なくとも一層目が真空蒸着法によって形成された電流拡散層としての膜厚が100Å以上のITO膜を有する。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系半導体発光素子において、P型GaN半導体層の上に電流拡散層として少なくとも一層目がスパッタリング法以外の方法によって形成された透明導電膜を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (5)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01S 5/343

FI (7)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 21/28 301 H , H01L 21/285 P , H01L 21/285 Z , H01L 21/285 301 Z , H01S 5/343

F-Term (33)：

4M104AA04 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F073AA55 , 5F073AA61 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB07 , 5F073CB10 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA35 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-162721
透明導電膜およびそれを用いた半導体装置ならびにその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-315502 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
化合物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-328558 Applicant：株式会社東芝

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