Pat

J-GLOBAL ID：200903076358233017

カーボンナノチューブ含有炭素材料及びその製造方法

Inventor： 西野 仁 ,  中岡 春雪 ,  沖見 克英 ,  西田 亮一 ,  宮保 淳
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002089734
Publication number (International publication number)：2003286014
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Oct. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 電子放出材料として好適に使用できるカーボンナノチューブ含有炭素材料、及び、かかるカーボンナノチューブ含有炭素材料を、超音波照射装置などの専用の装置を必要とせず、簡単な工程で、製造する方法を提供する。【解決手段】 粗大不純物を含有するカーボンナノチューブ含有粗生成物に少量の溶媒を混合してなるペースト状混合物を、外力を加えながら、ふるいを通過せしめることにより、カーボンナノチューブを含有すると共に不純物を含有するカーボンナノチューブ含有炭素材料であって、該炭素材料を構成する成分の最大サイズが20μm以下であることを特徴とするカーボンナノチューブ含有炭素材料及び該炭素材料からなる電子放出材料を製造する。

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブを含有すると共に、カーボンナノチューブ製造時に副生する不純物を含有するカーボンナノチューブ含有炭素材料であって、該炭素材料を構成する成分の最大サイズが20μm以下であることを特徴とするカーボンナノチューブ含有炭素材料。

F-Term (10)：

4G146AA19 ,  4G146AB03 ,  4G146BA04 ,  4G146BA12 ,  4G146BC03 ,  4G146CB04 ,  4G146CB05 ,  4G146CB09 ,  4G146CB10 ,  4G146CB40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• カーボン・ナノチューブの精製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-014387   Applicant：日本電気株式会社
• 単層カーボンナノチューブの皮膜を形成する方法及びその方法により皮膜を形成された単層カーボンナノチューブ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-276501   Applicant：双葉電子工業株式会社