アクティブマトリクス表示装置およびその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997287715
Publication number (International publication number)：1998228248
Application date： Oct. 03, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】高い特性を有するドライバ回路一体型(モノリシック型)アクティブマトリクス表示装置を薄膜トランジスタ(TFT)を用いて得る。【解決手段】非晶質珪素膜203にニッケル元素を添加しつつ、加熱処理を施すことによりこれを結晶化させ、さらにハロゲン元素を含有した酸化性雰囲気中での加熱処理を施すことにより、熱酸化膜209を形成する。この際、結晶性の改善、ニッケル元素のゲッタリングが進行する。こうして得られた結晶性珪素膜を用いてTFTを作製し、これを用いて各種回路を構成することで、ドット数5万以上300万以下のアクティブマトリクス回路を駆動しうるデータドライバ回路を得ることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に画素電極の形成されたアクティブマトリクス回路と、前記アクティブマトリクス回路を駆動するためのデータドライバ回路とを有し、前記データドライバ回路を構成するシフトレジスタ回路をp系列、前記基板の外部より前記データドライバ回路に入力するビデオ端子の数をq、前記アクティブマトリクス回路中にあり、前記データドライバ回路により駆動される画素電極の数をRとするとき、R/pqが5万以上300万以下であるアクティブマトリクス表示装置であって、前記アクティブマトリクス回路およびデータドライバ回路を構成するトランジスタは活性層が膜状であり、前記データドライバ回路を構成する薄膜トランジスタの活性層は、結晶化を促進する触媒元素の存在の元で結晶化されることにより得られた結晶性珪素膜であることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。

IPC (4)：

G09F 9/30 338 , G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6)：

G09F 9/30 338 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-053737 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-188771
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-166117 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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