Pat
J-GLOBAL ID:200903076426226415
表面処理組成物及び表面処理方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996056087
Publication number (International publication number):1997241612
Application date: Mar. 13, 1996
Publication date: Sep. 16, 1997
Summary:
【要約】【課題】 表面処理組成物から基体表面への金属不純物の汚染を防止し、安定的に極めて清浄な基体表面を達成する事ができる基体の表面処理組成物を提供する。【解決手段】 液媒体中に芳香族炭化水素に直接結合したフェノール性OH基を有する有機錯化剤および酸化剤を含有する表面処理組成物において、酸化剤濃度が1重量ppm以上、3重量%以下である表面処理組成物。
Claim (excerpt):
液媒体中に芳香族炭化水素基に直接結合したフェノール性OH基を有する有機錯化剤および酸化剤を含有する表面処理組成物において、酸化剤濃度が1重量ppm以上、3重量%以下であることを特徴とする表面処理組成物。
IPC (4):
C09K 3/00
, H01L 21/304 341
, C11D 7/26
, C11D 7/50
FI (4):
C09K 3/00 R
, H01L 21/304 341 L
, C11D 7/26
, C11D 7/50
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
-
シリコンウェーハの表面上の金属汚染の減少法および変性された洗浄液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-159663
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
-
特開昭49-052784
-
半導体装置の洗浄方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-146266
Applicant:松下電子工業株式会社
-
半導体ウェーハ処理液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-103191
Applicant:株式会社東芝
-
特開平3-219000
-
特開平3-256665
-
特開昭56-149499
-
特開昭55-052397
Show all
Return to Previous Page