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J-GLOBAL ID：200903076563720630

多孔質金属化合物薄膜の成膜方法及び有機色素増感型太陽電池

Inventor：
岩淵 芳典

About 岩淵 芳典

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亀井 雅之

About 亀井 雅之

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吉川 雅人

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Applicant, Patent owner：
株式会社ブリヂストン

About 株式会社ブリヂストン

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独立行政法人物質・材料研究機構

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Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003199300
Publication number (International publication number)：2005039013
Application date： Jul. 18, 2003
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：
【解決手段】基板上に、金属又は金属化合物からなる第1成分と、上記第1成分とは異なる金属化合物からなる第2成分とが互いに混合分散してなり、上記第1成分と第2成分との組成比が膜厚方向に変化する混合薄膜を成膜し、次いで上記混合薄膜中の第1成分を選択的に除去することを特徴とする多孔質金属化合物薄膜の成膜方法、及びこの方法により上記多孔質金属化合物薄膜を成膜した有機色素増感型太陽電池用半導体電極を用いた有機色素増感型太陽電池。【効果】本発明によれば、透明電極が形成された基板上に多孔質金属化合物薄膜が成膜されてなる有機色素増感型太陽電池用半導体電極用の多孔質金属化合物薄膜として好適な多孔質金属化合物薄膜を成膜することができ、またこの方法により上記多孔質金属化合物薄膜を成膜した有機色素増感型太陽電池用半導体電極を用いた有機色素増感型太陽電池は、優れた光電変換効率を示すものである。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
基板上に、金属又は金属化合物からなる第1成分と、上記第1成分とは異なる金属化合物からなる第2成分とが互いに混合分散してなり、上記第1成分と第2成分との組成比が膜厚方向に変化する混合薄膜を成膜し、次いで上記混合薄膜中の第1成分を選択的に除去することを特徴とする多孔質金属化合物薄膜の成膜方法。
IPC (4)：
H01L31/04 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  H01M14/00
FI (4)：
H01L31/04 Z ,  C23C14/08 E ,  C23C14/58 Z ,  H01M14/00 P
F-Term (22)：
4K029AA09 ,  4K029BA48 ,  4K029BB02 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029GA00 ,  5F051AA14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051FA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB06 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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