半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998002139
Publication number (International publication number)：1999204437
Application date： Jan. 08, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 InPからなる基板を用いた化合物半導体よりなるHEMTなどの半導体装置において、特性劣化の原因となる欠陥の発生を抑制する。【解決手段】 InPからなる基板101上に、InAlPからなる保護層101aを新たに備え、その上にInAlAsからなるバッファ層102が形成されているようにする。

Claim (excerpt)：

インジウムリンからなる基板と、この上に配置されかつヒ素を含む化合物半導体材料からなる層とを少なくとも含む半導体装置において、少なくともリンを含み、リンの脱離速度がインジウムリンより遅い化合物半導体からなり、格子不整合によってミスフイット転位が発生する臨界膜厚未満の膜厚の保護層が前記基板表面に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-042181 Applicant：富士通株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-152894 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-102233 Applicant：シャープ株式会社

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