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J-GLOBAL ID：200903076629767845

半導体素子の製造方法および半導体発光素子の製造方法

Inventor：
佐 伯 亮

About 佐 伯 亮


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999321117
Publication number (International publication number)：2001144322
Application date： Nov. 11, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：
【要約】【課題】 接着工程の熱処理による発光部への悪影響を回避して、発光効率の良好な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板10上に、エピタキシャル成長によりn型GaAsバッファー層44とn型InGaAlPバッファー層34とを形成し、n型InGaAlPバッファー層34にn型GaP基板30を接着する。続いて、n型GaAs基板10とn型GaAsバッファー層44とを除去し、このn型GaAsバッファー層44を除去した面のn型InGaAlPバッファー層34上に、n型InAlPクラッド層14とInGaAlP活性層16とp型InAlPクラッド層18とからなる発光部20をエピタキシャル成長により形成する。
Claim (excerpt)：
第1の半導体基板上に、この第1の半導体基板と格子整合する1又は複数の第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層に第2の半導体基板を接着する工程と、前記第1の半導体基板を除去する工程と、前記第1の半導体層の前記第1の半導体基板を除去した面に、1又は複数の第2の半導体層を形成する工程と、を備えるすることを特徴とする半導体素子の製造方法。
F-Term (11)：
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA53 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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