ポリアセンおよび半導体調製物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：葛和清司
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008510438
Publication number (International publication number)：2008543736
Application date： Apr. 21, 2006
Publication date： Dec. 04, 2008
Summary：

本発明は、新規なポリアセン化合物、それらを含む有機半導体調製物および層、該調製物および層の製造方法、ならびにそれらを含む有機電界効果トランジスタ(OFET)を包含する電子デバイスに関する。

Claim (excerpt)：

式Iで表される化合物であって、

IPC (8)：

C07F 7/08 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/50 , H01L 33/00

FI (10)：

C07F7/08 W , H01L29/28 100A , H01L29/28 250H , H01L29/28 310J , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H05B33/14 A , H05B33/22 D , H05B33/22 B , H01L33/00 Z

F-Term (30)：

3K107AA01 , 3K107DD71 , 3K107DD78 , 3K107DD87 , 3K107FF04 , 4H049VN01 , 4H049VP02 , 4H049VQ04 , 4H049VR24 , 4H049VU24 , 5F041CA45 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB03 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

多置換アセン誘導体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-133876 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 関東化学株式会社
有機発光ダイオードデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-259205 Applicant：イーストマンコダックカンパニー
特許第6690029号