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J-GLOBAL ID：200903076716453253

窒化ガリウム半導体基板及びその製造方法

Inventor： 大谷 昇 ,  矢代 弘克 ,  金谷 正敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996256806
Publication number (International publication number)：1998106949
Application date： Sep. 27, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 青色発光ダイオード、レーザーや電子デバイスに用いられる窒化ガリウムヘテロ接合に関し、結晶性に優れ、電気的に良好な界面を有する窒化ガリウムヘテロ接合を提供する。【解決手段】 窒化ガリウムヘテロ成長基板として、4H型の炭化珪素単結晶を用いることにより、格子定数差が少なくでき、伝導帯下端のエネルギー差ΔEc 、すなわちバンドオフセットをほぼ0とできる。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウムヘテロ接合を有する半導体基板において、前記窒化ガリウムヘテロ接合を形成させるヘテロエピタキシー基板が4H型の炭化珪素単結晶であることを特徴とする窒化ガリウム半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253784   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-198336   Applicant：三洋電機株式会社