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J-GLOBAL ID：200903076815511427

酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
薮田 久人

About 薮田 久人


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005258276
Publication number (International publication number)：2007073705
Application date： Sep. 06, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：
【課題】雰囲気の変化に起因する不安定動作を起こさず、安定したTFT動作特性が得られる酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】プラスチックフィルム基板1上にITO膜からなるドレイン電極5、ソース電極6を形成し、In-M-Zn-O(MはGa、Al、Feのうち少なくとも1種)を主たる構成元素とする酸化物半導体からなるチャネル層2を形成し、チャネル層2上にゲート絶縁膜3を介してITO膜からなるゲート電極4を形成し、TFTを作製する。そのTFT素子上に金属酸化物膜、シリコン酸化物膜、シリコン窒化物膜、シリコン炭化物膜、有機物膜あるいは有機物膜と金属膜の積層膜により保護膜7を200°C以下の成膜温度で形成する。その保護膜7にコンタクトホール8を形成し、これを介し、TFTの各電極4、5、6と、保護膜7上に形成したTFTの各端子9、10、11とを接続する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
In-M-Zn-O(MはGa、Al、Feのうち少なくとも1種)を主たる構成元素とする酸化物半導体をチャネル層に用いる薄膜トランジスタにおいて、 前記酸化物半導体チャネル層上を保護膜で覆うことを特徴とする酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタ。
IPC (1)：
H01L 29/786
FI (2)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A
F-Term (24)：
5F110AA30 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK07 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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