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J-GLOBAL ID:200903076915354094
射影リソグラフィー光学系
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三俣 弘文
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997113727
Publication number (International publication number):1998090602
Application date: May. 01, 1997
Publication date: Apr. 10, 1998
Summary:
【要約】【課題】軟X線等よりも長い波長で動作し、全反射光学デザインを用いたリソグラフィー射影系において、反射表面の数に厳しい制限がなく、利用可能なレーザー光源で、かつ、新型でない反射表面を用いる。【解決手段】スペクトルの深紫外領域から真空紫外領域の間で動作し、全反射光学配置を用いて、半導体ウェハー上へリソグラフィーマスクの縮小像を射影する射影リソグラフィー系である。この全反射光学配置は、6〜8の反射表面を有し、各反射表面は非球面である。この反射表面は、共通光軸に沿って配置され、光がリソグラフィーマスクから半導体ウェハーへ進む際に光の経路と干渉しないように配置される。
Claim (excerpt):
射影リソグラフィーにおいて用いる光学系であって、リソグラフィーマスク(28)からの像が露出波長を用いて半導体ウェハー(30)上に射影され、a)前記リソグラフィーマスク(28)と前記半導体ウェハー(30)の間に配置された少なくとも6個の反射表面(12〜26)を有し、この各反射表面は、非球面であることを特徴とする光学系。
IPC (4):
G02B 17/06
, G02B 13/18
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
FI (4):
G02B 17/06
, G02B 13/18
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 515 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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高開口数リングフィールド光学縮小系
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-330929
Applicant:エスヴィージーリトグラフィーシステムズインコーポレイテッド
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特開平3-103809
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縮小投影露光装置および半導体製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-183414
Applicant:キヤノン株式会社
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