Pat
J-GLOBAL ID：200903076918370503

多段型の放電プラズマ処理方法及び装置

Inventor：
江口 勇司

About 江口 勇司

, 
湯浅 基和

About 湯浅 基和


Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社

About 積水化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001248039
Publication number (International publication number)：2003059924
Application date： Aug. 17, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 放電プラズマ処理による酸化金属薄膜又は窒化金属薄膜の形成において、膜質に優れ、産業上必要とされる成膜速度で酸化金属薄膜又は窒化金属薄膜を容易に形成できる方法及びその装置の提供。【解決手段】 金属元素含有ガスと酸素含有ガス及び/又は窒素含有ガスを反応させて酸化金属化合物及び/又は窒化金属化合物からなる薄膜を形成する放電プラズマ処理方法において、一つのプラズマ発生室を通過した金属元素含有ガスに、酸素含有ガス及び/又は窒素含有ガスを合流させて、別のプラズマ発生室を通過させて薄膜を形成することを特徴とする多段型の放電プラズマ処理方法及びその装置。
Claim (excerpt)：
金属元素含有ガスと酸素含有ガス及び/又は窒素含有ガスを反応させて酸化金属化合物及び/又は窒化金属化合物からなる薄膜を形成する放電プラズマ処理方法において、一つのプラズマ発生室を通過した金属元素含有ガスに、酸素含有ガス及び/又は窒素含有ガスを合流させて、別のプラズマ発生室を通過させて薄膜を形成することを特徴とする多段型の放電プラズマ処理方法。
IPC (5)：
H01L 21/316 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/24
FI (5)：
H01L 21/316 X ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/24
F-Term (69)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075BC04 ,  4G075BD14 ,  4G075CA14 ,  4G075CA15 ,  4G075DA01 ,  4G075DA13 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075FA01 ,  4G075FC15 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA11 ,  4K030BA16 ,  4K030BA17 ,  4K030BA21 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA11 ,  4K030JA13 ,  4K030JA14 ,  4K030KA14 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K030KA47 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB09 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EH19 ,  5F045HA24 ,  5F058BB06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC12 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM