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J-GLOBAL ID:200903076953084998

有機EL素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 古谷 栄男 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998323041
Publication number (International publication number):2000150149
Application date: Nov. 13, 1998
Publication date: May. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】 信頼性の高い有機EL素子の製造方法の提供。【解決手段】 真空中でガラス基板2上にITO透明電極11、有機層12、上部電極13を形成し、窒素雰囲気中でシールによって封止を行う。このように、真空中においてITO透明電極11、有機層12、上部電極13を形成し、外気に触れない状態で形成することができるため、ITO透明電極11に不純物が付着することを防止できる。
Claim (excerpt):
基板上にアノード電極を形成するステップ、アノード電極上に有機EL層を形成するステップ、有機EL層上にカソード電極を形成するステップ、を備えた有機EL素子の製造方法において、前記アノード電極を形成するステップ、前記有機EL層を形成するステップおよび前記カソード電極を形成するステップの全てを外気に触れない環境化で行う、ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
IPC (2):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (2):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
F-Term (8):
3K007AB06 ,  3K007AB11 ,  3K007BA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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