薄膜トランジスタおよび薄膜集積素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金田暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999243465
Publication number (International publication number)：2001068678
Application date： Aug. 30, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】放熱性に優れ、ガラス基板からの不純物の浸透が防止された薄膜トランジスタおよび薄膜集積素子を提供すること。【解決手段】ガラス基板1の上に基板絶縁膜2、p-Si半導体層3、SiO2よりなるゲート絶縁膜4、ゲート電極5、保護絶縁膜10をこの順に積層し、基板絶縁膜2および保護絶縁膜10を、アルミナあるいは窒化アルミより形成する。

Claim (excerpt)：

MOS型構造のトランジスタと、該MOS型構造のトランジスタを狭持する一対の絶縁膜とを含んでなり、透明絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタであって、前記絶縁膜のいずれもが、高熱伝導性金属酸化物または高熱伝導性金属窒化物よりなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 623 Z

F-Term (21)：

5F110AA01 , 5F110AA18 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD24 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜状半導体素子およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-238714 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-076664 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-299216 Applicant：株式会社リコー

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