超解像画素電極の配置構造及び信号処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：梅村勁樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003360408
Publication number (International publication number)：2005129558
Application date： Oct. 21, 2003
Publication date： May. 19, 2005
Summary：

【課題】高エネルギーX線・ガンマ線の検出のために用いる半導体センサー素子と増幅器を配線により結合する場合に、配線による静電容量に違いが生じ、感度むらの原因となる。【解決手段】高解像度とするために千鳥配置を採用する場合には、配線による静電容量が素子ごとに異なるために、電極部(3)にダミーのセンサー載置部(2)を設けて、静電容量を均一にする。また、接続部の配線長による静電容量は、長さに対応して幅を狭く設定して、静電容量を均一にする。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

センサー素子の寸法により決まる解像度以上の解像度を得るために複数のセンサー部を千鳥状などにずらせて配置した高エネルギーX線、ガンマ線の検出装置において、複数のセンサー部と、該センサー部が載置される複数の電極部と、増幅部と、前記電極部と前記増幅部とを接続する複数の配線部とからなり、各電極部と各配線部による合成静電容量を各センサー間で一致させるために、前記センサー部が載置される前記電極部及び前記配線部のパターンの面積を各センサー間で概ね一致させてなる超解像画素電極の配置構造。

IPC (7)：

H01L27/14 , G01T1/00 , G01T1/24 , H01L27/146 , H01L31/09 , H01L31/10 , H04N5/32

FI (7)：

H01L27/14 K , G01T1/00 B , G01T1/24 , H04N5/32 , H01L31/10 H , H01L31/00 A , H01L27/14 A

F-Term (45)：

2G088EE01 , 2G088EE29 , 2G088FF02 , 2G088FF04 , 2G088GG21 , 2G088JJ01 , 2G088JJ05 , 2G088JJ29 , 2G088JJ33 , 4M118AA06 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA14 , 4M118CA19 , 4M118CB01 , 4M118FB08 , 4M118FB09 , 4M118FB19 , 4M118FB24 , 4M118FB29 , 4M118GA10 , 4M118HA22 , 4M118HA27 , 5C024AX13 , 5C024AX16 , 5C024CX41 , 5C024CY47 , 5F049MB01 , 5F049NA20 , 5F049NB03 , 5F049NB05 , 5F049RA02 , 5F049SE09 , 5F049SE11 , 5F049WA07 , 5F088AB09 , 5F088BA10 , 5F088BA20 , 5F088BB02 , 5F088BB03 , 5F088DA17 , 5F088EA03 , 5F088EA04 , 5F088FA09 , 5F088FA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

高分解能撮像方式
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-020845 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (10)

信号転送装置、光電変換装置、放射線検出装置及びシステム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-242445 Applicant：キヤノン株式会社
特開昭63-272071
特開昭61-039573

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