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J-GLOBAL ID：200903077042638372

有機電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
益田 由紀

About 益田 由紀


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  阿部 豊隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003338358
Publication number (International publication number)：2005109028
Application date： Sep. 29, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：
【課題】 ソース電極又はドレイン電極と有機半導体層との間の接触抵抗が充分に低減された有機FET及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 有機FET1はゲート絶縁膜4の一側に設けられたゲート電極2、ゲート絶縁膜4の他側に設けられた有機半導体層6、ゲート絶縁膜4の他側であって有機半導体層6の上に設けられたソース電極10及びドレイン電極12、及び、有機半導体層6とソース電極10及びドレイン電極12との間にそれぞれ設けられたバッファ層8から構成されるものである。バッファ層8は、永久双極子モーメントを有する化合物から主として構成されるものである。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルとなる有機半導体層と、 前記チャネルを通る電流量を制御するためのゲート電極と、 前記有機半導体層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち少なくとも一方の電極との間に形成されており、永久双極子モーメントを有する化合物を含むバッファ層と、 を備える有機電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (4)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V
F-Term (22)：
5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)

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