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J-GLOBAL ID：200903077065120265

半導体間接着方法、この方法を使用して製造した半導体および半導体装置

Inventor： 曽我 哲夫 ,  梅野 正義 ,  田口 裕規
Applicant, Patent owner： 名古屋工業大学長 ,  株式会社三陽電機製作所
Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999084533
Publication number (International publication number)：2000277779
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電気伝導性および透光性を有する接着材料により半導体の間を強固に結晶品質を損なうことなしに接着する半導体間接着方法、この方法を使用して製造した半導体および半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体シリコンとIII-V族化合物或は混晶半導体との間、或はIII-V族化合物或は混晶半導体相互間、III-V族化合物と混晶半導体との間に、VI族化合物を接着材料として介在させて加熱する半導体間接着方法、この方法を使用して製造した半導体および半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体シリコンとIII-V族化合物或は混晶半導体との間、或はIII-V族化合物或は混晶半導体相互間、或はIII-V族化合物と混晶半導体との間にVI族化合物を接着材料として介在させて加熱することを特徴とする半導体間接着方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/02

FI (3)：

H01L 31/04 H ,  H01L 21/02 B ,  H01L 31/04 E

F-Term (8)：

5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051DA15 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-287867   Applicant：株式会社日立製作所, 光技術研究開発株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "High-quality GaAs on Si substrate by the epitaxial lift-off technique using SeS2"