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J-GLOBAL ID：200903077081691426
シリコン単結晶およびその製造方法、評価方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997284658
Publication number (International publication number)：1999106282
Application date： Oct. 01, 1997
Publication date： Apr. 20, 1999
Summary：
【要約】【課題】 この発明は、シリコン単結晶育成時に形成される転位クラスターサイズの評価法を提供するものである。また、この発明は、COP等のgrown-in欠陥が少なく、なおかつ転位クラスターサイズ、あるいは転位クラスターサイズと密度の積を低減させるシリコン単結晶製造条件、及びシリコン単結晶を提供することを目的としている。【解決手段】 シリコン単結晶の評価法において、赤外干渉法によって得られた転位クラスター像から転位クラスターサイズを評価する。また、チョクラルスキー法によって得られるシリコン単結晶において、COPが104 個/cm3以下であり、かつ転位クラスターサイズが50μm以下、あるいは転位クラスターサイズと密度の積が105 μm/cm3 以下となるような単結晶シリコンを提供する。また、チョクラルスキー法におけるシリコン単結晶製造法において、引上速度を制御することによって上記の様なシリコン単結晶を製造する方法を提供する。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶であって、表面異物計で測定したサイズ0.11μm以上のCOPの密度がウエハ全面にわたって104 個/cm3 以下、かつ転位クラスターのサイズがウエハ全面にわたって50μm以下であることを特徴とするシリコン単結晶。
IPC (5)：
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
, G01N 21/00
, G01N 21/88
, H01L 21/66
C30B 15/00 Z
, C30B 29/06 502 E
, G01N 21/00 B
, G01N 21/88 E
, H01L 21/66 N
