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J-GLOBAL ID：200903077089203145

半導体装置の電極構造および半導体パッケージ

Inventor： 上 月 繁 雄 ,  江 本 孝 朗
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  姫路東芝電子部品株式会社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000295921
Publication number (International publication number)：2002110981
Application date： Sep. 28, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 低抵抗を実現する半導体装置の電極構造および半導体パッケージを提供する。【解決手段】 MOS型大電力用半導体装置10の電極構造において、半導体装置10の上面にALで形成され、それぞれMOSトランジスタのゲートまたはソースに接続されたAL電極層15,17と、AL電極層15,17の表面にそれぞれはんだ付け可能な金属材料で形成された金属メッキ層35,37とを備え、AL電極層15,17とパッケージのリード端子54,53とを金属メッキ層35,37およびワイヤ104,Cu接続板55をそれぞれ介して接続する。

Claim (excerpt)：

半導体回路が形成された半導体装置の第1の表面に第1の金属で形成され、前記半導体回路に接続された第1の電極層と、前記第1の電極層の上に、外部の取り出し電極とはんだ付け可能な第2の金属で形成された金属メッキ層と、を備える半導体装置の電極構造。

IPC (7)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 23/50

FI (8)：

H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/288 N ,  H01L 23/50 F ,  H01L 23/50 X

F-Term (17)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104CC01 ,  4M104DD23 ,  4M104DD53 ,  4M104EE09 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG18 ,  4M104HH08 ,  4M104HH16 ,  5F067AA03 ,  5F067CA01 ,  5F067DA05 ,  5F067DF20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-022185   Applicant：三洋電機株式会社
• 集積回路ダイ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-353915   Applicant：シリコニックス・インコーポレイテッド