Pat
J-GLOBAL ID：200903077229546382

ウェハ処理において低誘電率材料を不動態化する方法

Inventor：
トーマ,ドーレル イオアン

About トーマ,ドーレル イオアン

, 
シリング,ポール

About シリング,ポール


Applicant, Patent owner：
スーパークリティカル システムズ インコーポレイティド

About スーパークリティカル システムズ インコーポレイティド


Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  西山 雅也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003575185
Publication number (International publication number)：2005519481
Application date： Mar. 04, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：
シリル化剤を含有する不動態化用超臨界二酸化炭素溶液を用いて、酸化ケイ素に基づく低k材料を不動態化する方法を開示する。このシリル化剤は好ましくは、5個の炭素原子を有する有機基を有する有機ケイ素化合物、例えばヘキサメチルジシラザン(HMDS)、クロロトリメチルシラン(TMCS)、及びこれらを組み合わせたものである。本発明の実施形態によれば、酸化ケイ素に基づく低k材料を不動態化用超臨界溶液に曝すとともに、温度を40〜200°Cの範囲、好ましくは約150°C、また圧力を1,070〜9,000psiの範囲、好ましくは約3,000psiに保つ。本発明の別の実施形態によれば、超臨界二酸化炭素洗浄液を用いて酸化ケイ素に基づく低k材料の洗浄と不動態化を同時に行う。
Claim (excerpt)：
(a)超臨界CO2と有機基を有する所定量のシリル化剤とを含有する不動態化用超臨界溶液で、低k表面を処理すること、及び (b)前記超臨界溶液を除去すること、 を含み、前記有機基によって前記低k表面の少なくとも一部を不動態化する、低k表面の処理方法。
IPC (4)：
H01L21/316 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304
FI (4)：
H01L21/316 P ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/30 572B
F-Term (11)：
2H096AA25 ,  2H096HA02 ,  2H096HA30 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02 ,  5F046MA05 ,  5F058AA04 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM